Descripción
Características Principales
• Transistor NPN epitaxial de silicio
• Frecuencia máxima de operación 30 MHz
• Tensión de colector 13.5 Vcc
• Potencia máxima de salida 70 Watt
• Encapsulado formato T-40E
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.
Características Principales
• Transistor NPN epitaxial de silicio
• Frecuencia máxima de operación 30 MHz
• Tensión de colector 13.5 Vcc
• Potencia máxima de salida 70 Watt
• Encapsulado formato T-40E