Descripción
Características Principales
• Transistor NPN de potencia RF de silicio
• Frecuencia operativa de hasta 30 MHz
• Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC
• Capacidad de corriente de 4.0 Amperios
• Potencia de salida máxima de 10 Watt
Máximos Ratings
• IC: 4.0 A
• VCE: 18 V
• VCB: 48 V
• PD: 10 W @ TC = 25 °C
• TSTG: -65 °C to +150 °C
• TJ: -65 °C to +150 °C
• θJ-C: 12.5 °C/W
Características Eléctricas
• BVCEO: 18 V @ IC = 20 mA
• BVCES: 48 V @ IC = 50 mA
• BVEBO: 4.0 V @ IE = 5.0 mA
• ICBO: 1.0 mA @ VCB = 25 V
• hFE: 30-60 @ VCE = 5.0 V, IC = 500 mA
• Cob: 125-145 pF @ VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz
• GP: 10-12 dB
• η: 40% @ Pout = 12 W (PEP), VCC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, ICQ = 300 mA
• IMD: -30 dB
Configuración Física
• Paquete: TO-220AB (Common Emitter)
• Conexiones: 1 = BASE, 2 = COLLECTOR, 3 = EMITTER TAB = COLLECTOR
