Descripción
Características Principales
• Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
• Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz
• Manejo de potencia hasta 12.5 Watts
• Voltaje de colector-emisor hasta 12.5 VCC
• Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje
Especificaciones Técnicas
• Tipo: Transistor de Silicio NPN
• Rango de Frecuencia: 2-30 MHz
• Voltaje: 12.5 Vcc
• Potencia: 12.5 Watt
• Encapsulado: 211-07
