Descripción
Características Principales
• Transistor de silicio NPN de alta frecuencia
• Rango de frecuencias: 30-500 MHz
• Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc
• Ganancia de 10 dB para amplificación eficaz
• Potencia máxima de salida: 125 Watt
Máximos Permisibles
• VCEO: 30 Vdc
• VCBO: 60 Vdc
• VEBO: 4.0 Vdc
• IC: 16 Adc
• PD: 270 Watts (a TC = 25°C)
• Derate: 1.54 W/°C
• Tstg: -65 a +150 °C
• TJ: 200 °C
Características Térmicas
• RθJC: 0.65 °C/W
Características Eléctricas
• hFE: 40-100 (a IC = 1.0 Adc)
• Cob: 75-95 pF
Características de Operación
• Ganancia: 8-10 dB
• Eficiencia: 50-55%
• VSWR: 30:1 sin degradación
• Impedancia: 20 Ω
Configuración
• Dos transistores en un solo encapsulado
• Configuración push-pull
• Emisores comunes
• Redes de adaptación de impedancia integradas
• Metabolización de oro para alta confiabilidad
Frecuencias de Operación
• Frecuencia de prueba: 400 MHz
• Rango de frecuencia: 30-500 MHz
• Reducción de potencia: 10 W a 14 W
• Tensión de prueba: 28 Vdc
Aplicaciones
• Amplificadores de señal RF
• Sistemas de comunicación de banda ancha
• Equipos de prueba y medición RF
• Sistemas de radiodifusión
• Amplificadores lineales de alta potencia
Especificaciones de Prueba
• Prueba de potencia: 125 W a 400 MHz
• Prueba de eficiencia: 55% típico
• Prueba de adaptación: VSWR 30:1
• Prueba de impedancia: 20 Ω
Impedancia Óptima
• 100 MHz: 0.72 + j0.44 Ω
• 225 MHz: 0.72 + j2.62 Ω
• 400 MHz: 3.88 + j5.72 Ω
• 450 MHz: 3.84 + j2.8 Ω
• 500 MHz: 1.26 + j3.01 Ω
Dimensiones
• A: 22.60-23.11 mm
• B: 9.52-10.03 mm
• C: 6.65-7.16 mm
• D: 1.60-1.95 mm
• E: 2.94-3.40 mm
