Descripción
Características Principales
• Amplificador lineal de 50 MHz a 4 GHz
• Ganancia de 18.7 dB a 0.9 GHz
• Operación con voltaje de 5 VCC
• Encapsulado SOT-89 para fácil montaje
• Rango de frecuencia amplio para múltiples aplicaciones
Especificaciones RF
• Rango de Frecuencia: 50 MHz a 4 GHz
• Ganancia: 18.7 dB a 0.9 GHz
• Ganancia a 1.96 GHz: 11.3 a 14.3 dB
• Figura de Ruido: 0.55 dB a 0.9 GHz
• Figura de Ruido a 1.96 GHz: 0.8 a 1.1 dB
• Potencia de Salida a 1dB Compresión: 22.4 dBm a 0.9 GHz
• Potencia de Salida a 1.96 GHz: 20.7 a 22.7 dBm
• Punto de Intercepto de Tercer Orden (OIP3): 38.5 dBm a 0.9 GHz
• OIP3 a 1.96 GHz: 36.0 a 39.5 dBm
Especificaciones Eléctricas
• Voltaje de Operación: 5 V (Máx. 5.25 V)
• Corriente de Operación: 75 a 105 mA (90 mA típico)
• Corriente Máxima: 120 mA
• Voltaje Máximo: 5.5 V
• Potencia Disipada Máxima: 660 mW
• Potencia Máxima de Entrada RF: 27 dBm
• Temperatura de Unión Máxima: 150 °C
• Rango de Temperatura de Operación: -40 a +85 °C
Características Adicionales
• Red de sesgo activa para estabilidad
• Redes de adaptación integradas
• Bajo consumo de potencia
• Alta linealidad (OIP3 de 39.5 dBm a 1960 MHz)
• Alta relación de rechazo de entrada/salida
• Bajo rizado en banda
• Tecnología GaAs pHEMT
• Construcción libre de plomo y compatible con RoHS
Aplicaciones
• Receptores de telefonía celular
• Sistemas PCS
• Receptores W-CDMA
• Sistemas ISM
• Receptores WiMAX
• Amplificadores de driver de PA
• Bloques de ganancia de bajo ruido y alta linealidad
Configuración de Diseño
• Diseño de alto rendimiento pHEMT MMIC LNA
• Red de sesgo activa integrada
• Redes de adaptación internas
• Operación con una sola fuente de alimentación
• Opciones flexibles de sesgo: 3V a 5V
Información de Montaje
• Encapsulado SOT-89
• Requiere capacitor de bloqueo DC en entrada y salida
• Uso de vías cercanas a conexiones de tierra para reducir inductancia
• Disipador de calor recomendado
• Nivel de sensibilidad a ESD: Clase 1B
• Nivel de sensibilidad de humedad: MSL 2
