Descripción
Características Principales
• Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
• Potencia de salida de 40 Watt
• Operación a 13.6 VCC estable
• Diseño compacto y eficiente térmicamente
• Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas
Especificaciones Básicas
• Tipo: Transistor bipolar NPN
• Frecuencia: 160 MHz
• Tensión de alimentación: 13.6 VCC
• Configuración: Emisor común
• Aplicación: Comunicaciones VHF
Límites Máximos
• VCBO: 36 V
• VCEO: 16 V
• VCES: 36 V
• VEBO: 4.0 V
• IC: 8.0 A
• PDISS: 70 W
• TJ: +200 °C
• TSTG: -65 a +150 °C
Especificaciones Dinámicas
• POUT: 40 W (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)
• GP: 9 dB (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)
• COB: 95 pF (f=1 MHz, VCB=15 V)
Especificaciones Estáticas
• BVCES: 36 V (IC=15 mA, VBE=0 mA)
• BVCEO: 16 V (IC=50 mA, IB=0 mA)
• BVEBO: 4.0 V (IE=5 mA, IC=0 mA)
• ICBO: 5 mA (VCB=15 V, IE=0 mA)
• hFE: 20 (VCE=5 V, IC=250 mA)
Datos Térmicos
• RTH(j-c): 1.2 °C/W
Datos de Impedancia
• ZIN (Ω): 1.0 + j 0.4 (160 MHz)
• ZCL (Ω): 2.3 + j 0.1 (160 MHz)
Nota: PIN = 3.0 W; VCE = 12.5 V
Conexiones
• 1: Colector
• 2: Emisor
• 3: Base
• 4: Emisor
Dimensiones Mecánicas (M113)
• A: 5.59-5.84 mm (0.220-0.230')
• B: 19.94 mm (0.785')
• C: 18.29-18.54 mm (0.720-0.730')
• D: 24.64-24.89 mm (0.970-0.980')
• E: 9.78 mm (0.385')
Dimensiones Mecánicas (M113) Cont.
• F: 0.10-0.15 mm (0.004-0.006')
• G: 2.16-2.67 mm (0.085-0.105')
• H: 4.06-4.57 mm (0.160-0.180')
• I: 7.11 mm (0.280')
• J: 6.10-6.48 mm (0.240-0.255')
Rendimiento Típico
• Diseño con geometría de emisor amortiguado para soportar condiciones extremas de desadaptación de carga
• Características eléctricas especificadas a 25°C
• Paquete plástico encapsulado con epoxi
• Frecuencia de operación: hasta 160 MHz
• Tensión de colector-emisor: 16 V (máx.)
Aplicaciones
• Sistemas de comunicación VHF
• Amplificadores de potencia RF
• Equipos de radio móvil
• Transmisores de alta frecuencia
• Sistemas de comunicación de alta confiabilidad
Información de Pedido
• Código de pedido: SD1275-01
• Marcaje: SD1275-1
• Paquete: M113
• Embalaje: Bandejas plásticas
Datos Adicionales
• Revisión: 2
• Fecha de revisión: Mayo 2004
• Tipo de transistor: Silicio epitaxial
• Clase de operación: Clase C
