Descripción
Características Principales
• Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
• Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
• Potencia de salida máxima de 100 vatios
• Voltaje de colector de 12.5 VCC
• Diseño robusto para alta eficiencia energética
Aplicaciones
• Sistemas de comunicación VHF
• Transmisores FM
• Amplificadores de potencia RF
Especificaciones RF
• Frecuencia: 175 MHz
• Potencia de salida: 100 W
• Relación de ganancia: 6.0 dB
• Impedancia entrada: 1.5 - j 0.9 Ω
• Impedancia carga: 0.5 - j 1.0 Ω
Especificaciones Eléctricas
• Voltaje colector-base: 36 V
• Voltaje colector-emisor: 18 V
• Voltaje emisor-base: 4.0 V
• Corriente colector: 20 A
• Disipación de potencia: 270 W
Especificaciones Térmicas
• Resistencia térmica (junto-case): 0.65 °C/W
• Temperatura de unión: +200 °C
• Temperatura almacenamiento: -65 a +150 °C
Conexiones y Empaque
• Conexión colector: Perno
• Conexión base: Cable
• Conexión emisor: Cable
• Tipo de empaque: Sellado con epoxi
Condiciones de Prueba
• Frecuencia: 175 MHz
• Voltaje de prueba: 12.5 VCC
• Potencia de entrada: 25 W
• Clase de operación: Clase C
