Descripción
Transistor de Potencia MOSFET
• Tipo: Canal P
• Voltaje: 50 Volt
• Corriente: 18 Amp.
• Rds: 0.14 Ohm
• Potencia: 74 Watt
• Paquete: TO-220AB
• Aplicación: Analizador III
Características Técnicas
• FET Type: P-Channel
• Technology: MOSFET (Metal Oxide)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
• Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Especificaciones Adicionales
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
• Vgs (Max): ±20V
• Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
• FET Feature: -
• Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
• Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Mounting Type: Through Hole
Información del Paquete
• Supplier Device Package: TO-220AB
• Package / Case: TO-220-3
• Base Product Number: IRF9Z30